| Général |
| Type de périphérique | Lecteur à semi-conducteurs - interne |
| Capacité | 960 Go |
| Type de mémoire flash NAND | 3D triple-level cell (TLC) |
| Format | 2.5" |
| Interface | U.3 PCIe 4.0 x4 (NVMe) |
| Octets par secteur | 512 |
| Caractéristiques | Data Path Protection, Protection de perte de puissance (PLP), NVM Express (NVMe) 1.4, technologie NAND 176 couches, Environnement d'exécution sécurisé, Démarrage sécurisé, Mise à jour du micrologiciel par clé, Accès privilégié basé sur des clés, CMOS sous réseau (CuA) |
| Hauteur | 7 mm |
| Performances |
| Écritures de lecteur par jour (DWPD) | 1 |
| Endurance SSD | 1700 TB |
| Classe d'entraînement | Enterprise, Read Intensive |
| Débit de transfert interne | 6800 Mo/s (lecture) / 1400 Mo/s (écriture) |
| Lecture aléatoire 4 Ko | 530000 IOPS |
| Écriture aléatoire 4 Ko | 85000 IOPS |
| Fiabilité |
| Fiabilité MTBF | 2,000,000 heures |
| Erreurs irrécupérables | 1 sur 10^17 |
| Expansion et connectivité |
| Interfaces | 1 x U.3 PCIe 4.0 x4 (NVMe) |
| Baie compatible | 2.5" |
| Alimentation |
| Consommation électrique | 12.1 Watt (lecture séquentielle)
16.6 Watt (écriture séquentielle) |
| Divers |
| Compatibilité TTA | Oui |
| Garantie du fabricant |
| Service et maintenance | Garantie limitée - 5 ans |
| Caractéristiques d’environnement |
| Température minimale de fonctionnement | 0 °C |
| Température maximale de fonctionnement | 70 °C |
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