| Général |
| Type de périphérique | Lecteur à semi-conducteurs - interne |
| Capacité | 1920 Go |
| Type de mémoire flash NAND | 3D triple-level cell (TLC) |
| Format | M.2 22110 |
| Interface | PCIe 4.0 (NVMe) |
| Octets par secteur | 512 |
| Caractéristiques | Digitally Signed Firmware, Protection de perte de puissance (PLP), technologie NAND 176 couches, Environnement d'exécution sécurisé, Démarrage sécurisé, CMOS sous réseau (CuA), effacement de bloc NAND |
| Largeur | 22 mm |
| Profondeur | 110 mm |
| Performances |
| Écritures de lecteur par jour (DWPD) | 1 |
| Endurance SSD | 3650 TB |
| Classe d'entraînement | Enterprise |
| Débit de transfert interne | 5000 Mo/s (lecture) / 2400 Mo/s (écriture) |
| Lecture aléatoire 4 Ko | 735000 IOPS |
| Écriture aléatoire 4 Ko | 120000 IOPS |
| Fiabilité |
| Fiabilité MTBF | 2,000,000 heures |
| Erreurs irrécupérables | 1 sur 10^17 |
| Expansion et connectivité |
| Interfaces | 1 x PCI Express 4.0 (NVMe) - M.2 Card |
| Baie compatible | M.2 22110 |
| Alimentation |
| Consommation électrique | 8 Watt (lecture séquentielle)
7.9 Watt (écriture séquentielle) |
| Divers |
| Compatibilité TTA | Oui |
| Garantie du fabricant |
| Service et maintenance | Garantie limitée - 5 ans |
| Caractéristiques d’environnement |
| Température minimale de fonctionnement | 0 °C |
| Température maximale de fonctionnement | 70 °C |
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