| Général |
| Type de périphérique | Lecteur à semi-conducteurs - interne |
| Capacité | 1 To |
| Type de mémoire flash NAND | Cellule à quatre niveaux (QLC) |
| Format | M.2 2280 |
| Interface | PCIe 4.0 (NVMe) |
| Caractéristiques | Fonctionnalité d'amélioration des performances en écriture Dynamic Write Acceleration, Host Memory Buffer (HMB), NVM Express (NVMe) 1.4, technologie NAND 176 couches, Démarrage sécurisé |
| Largeur | 22 mm |
| Profondeur | 80 mm |
| Performances |
| Endurance SSD | 300 TB |
| Débit de transfert interne | 4500 Mo/s (lecture) / 3600 Mo/s (écriture) |
| Lecture aléatoire 4 Ko | 600000 IOPS |
| Écriture aléatoire 4 Ko | 650000 IOPS |
| Fiabilité |
| Fiabilité MTBF | 2,000,000 heures |
| Expansion et connectivité |
| Interfaces | 1 x PCI Express 4.0 (NVMe) |
| Baie compatible | M.2 2280 |
| Alimentation |
| Consommation électrique | 150 mW (actif au repos)
2.5 mW (veille) |
| Divers |
| Normes de conformité | China RoHS, RoHS 2011/65/EU, REACH SvHC, Taiwan BSMI RoHS |
| Garantie du fabricant |
| Service et maintenance | Garantie limitée - 3 ans |
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