| Général |
| Type de périphérique | Lecteur à semi-conducteurs - interne |
| Capacité | 1024 Go |
| Type de mémoire flash NAND | 3D triple-level cell (TLC) |
| Format | M.2 2280 |
| Interface | PCIe 3.1 x4 (NVMe) |
| Caractéristiques | Prise en charge TRIM, Wear Leveling Support, Ultra-efficient Block Management, NVM Express (NVMe) 1.4, InnoGrit IG5216, S.M.A.R.T. |
| Largeur | 22 mm |
| Profondeur | 80 mm |
| Hauteur | 2.25 mm |
| Poids | 10 g |
| Performances |
| Endurance SSD | 512 TB |
| Débit de transfert interne | 3450 Mo/s (lecture) / 3200 Mo/s (écriture) |
| Lecture aléatoire 4 Ko | 290000 IOPS |
| Écriture aléatoire 4 Ko | 280000 IOPS |
| Fiabilité |
| Fiabilité MTBF | 1,500,000 heures |
| Expansion et connectivité |
| Interfaces | 1 x PCI Express 3.1 x4 (NVMe) - M.2 Card |
| Baie compatible | M.2 2280 |
| Alimentation |
| Consommation électrique | 2871 mW (lecture)
1056 mW (inactif)
3802 mW (écriture) |
| Divers |
| Normes de conformité | FCC, RoHS, UKCA |
| Dimensions et poids (emballé) |
| Poids emballé | 58 g |
| Garantie du fabricant |
| Service et maintenance | Garantie limitée - 3 ans |
| Caractéristiques d’environnement |
| Température minimale de fonctionnement | 0 °C |
| Température maximale de fonctionnement | 70 °C |
| Température de stockage mini | -40 °C |
| Température de stockage maxi | 85 °C |
| Taux d'humidité en fonctionnement | 5 - 95 % (sans condensation) |
| Résistance aux chocs (au repos) | 1500 g @ onde semi-sinusoïdale 0,5 ms |
| Tolérance aux vibrations (au repos) | 20 g @ 10-2000 Hz |
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